据外媒报导，原来要突破目前的4nm工艺其实只差一个微波炉就可以了？外国的研究人员最近在一项修改后的微波炉上取得了2nm突破的关键技术！悉知，目前各大芯片铸造厂在半导体工艺上遇上一个非常大的阻碍，就是不知如何切割出2nm工艺的导体。这主要是因为2nm工艺目前已经非常接近硅原子（Silicon Atom）的大小，因此在切割的时候必须要有很高的磷浓度，以促进更稳定的电流可以传输，让其可以在切割得时候更精准。台积电最近就推测，如果要磷加热过程中可以受热均匀的话，那么可以考虑在加热过程使用微波（Microwave）来加热！其实微波加热并不是一个崭新的技术，因为这个技术严格来说已经存在已久，支持早前因为微波加热不均匀的关系才没有采纳。如今，微波加热技术已经非常的先进，加热也非常的均匀，因此使用微波来加热磷让其平均溶解已经成为一个可以使用的技术了！对于此，康奈尔大学的科学家也在实验室中取得了成效，并表示先进的微波炉将可以克服高度溶解并稳定参杂的2nm技术挑战。直至截稿为止，台积电目前也已经正在小量试产2nm芯片，并用于生产环栅场效应晶体管（GAAFET）。有谁会想到，微波炉竟然会是突破2nm工艺瓶颈的关键？资料来源：IT之家
据新浪网报道，台积电预计将会在明年下半年正式量产3nm工艺，也计划继续在半导体大小上推进2nm的研发。悉知，台积电目前计划投资奖金1万亿新台币（约RM15千亿）来开发2nm工艺的芯片铸造厂。悉知，2nm工艺的芯片铸造厂在开发成本方面远高于5nm的工艺铸造厂。早前，台积电在美国开设的5nm工艺铸造厂仅计划投资120亿美元即可完成建造新厂；而2nm工艺铸造厂则需要高达360亿美元才可能完成建造，是5nm的三倍！成本高主要来自工厂规模以及先进设备。据了解，全新的2nm工艺制程所需要的极紫外线光刻机在成本方面也有明显的提高，因此投资的数额也需要更多了！分析员就表示，2nm工艺将会在2025年，给芯片性能表现以及晶体管密度方面带来巨大的突破，让芯片效能提升！资料来源：新浪网