根据台积电的官方文告，台积电预计将会在今年下半年正式生产3nm工艺制程的芯片，并将会依照生产结果分类为五个等级，分别是N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。悉知，每个等级的芯片分别意味着不同的性能表现，包括了半导体密度、耗电率等等。因此，如果一个芯片是采用台积电3nm下的N3X技术打造的话，那么这个芯片将会以性能表现为优先，节能为其次，等等。全球最大的芯片铸造厂除了公布了3nm工艺制程之外，同时也向大众发布最新的芯片工艺制程路线图，并表示将会在2025年开始使用2nm工艺制程。据了解，如果2nm研发成功的话，台积电预计2nm的芯片将会相较3nm芯片，在性能表现上提升15%，同时也将会节能高达30%。不过随着工艺制程技术已经几乎要抵达硅原子的大小，目前并不清楚2nm之后，台积电还有什么新技术可以推出？资料来源：台积电
根据外媒报导，Samsung 在新一代的芯片发展可谓是雪上加霜！早前在4nm工艺制成里面，由于良率太低加上芯片发热量很大的关系，让原本交由 Samsung 铸造的高通骁龙8 Gen 1芯片也将会在下半年转由台积电生产了！而预计将会在今年发布的 3nm 工艺制程也不会有所好转！悉知， Samsung 3nm 工艺制程由于良率方面比 4nm 来得更低的关系，Samsung 将不会通过这个 3nm 工艺接单，而是用于自家的芯片而已。Samsung 表示，3nm工艺制程将会相比起 4nm工艺制程性能提升高达35%，功耗降低高达50%！不过由于良率的问题，Samsung将会最快在2023年才会正式的接单为第三方生产这个芯片。其实除了Samsung之外，台积电也在FinFET技术方面遇见瓶颈，并出现良率过低的问题。但根据全球三大芯片铸造厂的时间线，Samsung以及台积电将会在2025年启动2nm工艺制程生产线，而Intel也预计会在2024年生产 2nm 工艺的芯片以及…